تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
