|
|
|
عنوان مقاله: ترانزیستور اثر میدانی
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 42 صفحه
فهرست مطالب:
● مقدمه
● بخش اول: JFET ها
ساختمان و مشخصه‌هاي JFETها
مقاومت كنترل ولتاژ
قطعات كانال p
نمادها
خلاصه ● بخش دوم: MOSFET ها
MOSFET نوع تهي
اساس ساختمان
كار قطعه و مشخصه‌هاي آن
MOSFET نوع تهي كانال p
نمادها، ورقه‌هاي مشخصه، و ساختمان بدنه
MOSFET نوع افزايشي
اساس ساختمان
اساس كار و مشخصه‌ها
MOSFET های نوع افزایشی کانال p
* برای دریافت مقدمه مقاله (با حجم بسیار کم) اینجا کلیک کنید.
:: برچسب‌ها:
MOSFET نوع تهي ,
ترانزیستور ,
MOSFET نوع افزايشي ,
ترانزیستور اثر میدانی ,
MOSFET ,
JFET ,
كانال p ,
:: بازدید از این مطلب : 148
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : شنبه 1 مرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
