|
|
|
تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.
:: برچسب‌ها:
تکنولوژی CMOS ,
نانو وایر ,
سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم ,
عامل ناخالصی ,
Dopant-Independent ,
Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology ,
Reconfigurable Logic Applications ,
مقاله انگلیسی برق ,
مقاله انگلیسی برق و الکترونیک ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 111
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : دو شنبه 28 تير 1395 |
نظرات ()
|
|
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
